点击图片查看原图
低温激光退火多晶硅（P-Si）技术成熟，以至最近发展起来的单晶硅技术使得TFT-LCD的响应速度更快，电路集成化水平更高，锁相环技术的应用，一种功能更新，更全的周边电路的采用，系统集成（System on
glass）技术的发展，使得TFT-LCD更轻、更薄。13.3英寸TFT-LCD其厚度在1998年为7.2mm，1999年为5.5mm，2001年降到5mm以下，其重量1998年为580克，1999年为450克，到2001年降到400克以下。TFT-LCD的大生产技术也已成熟，已实现全自动生产，其第五代生产线在2002年将进入实用生产阶段，生产成本将不断下降。TFT-LCD在技术上的成熟与进步以及其特有的性能优势确定了TFT-LCD最终取代CRT的格局。
（1）水平和垂直角都达到170度；
（2）显示亮度达到500尼特，对比度500：1；
（3）寿命超过3万小时；
（4）场序列全彩色（FSFC）技术开始应用于工业生产；
（5）大屏幕薄膜晶体管液晶显示彩色电视（TFT-LC TV）已经开始进入大规模工业生产，TFT-LCTV的画质已经达到甚至超过了CRT，如28英寸TFT
LC TV的分辨率为1920×1200，水平垂直视角均为170度；38英寸的TFT LC TV已研制成功；40英寸的TFT-LCD也已研制成功；
TFT（Thin Film
Transistor）即薄膜场效应晶体管，它可以“主动地”对屏幕上的各个独立的像素进行控制，这样可以大大提高反应时间。一般TFT的反应时间比较快，约80毫秒，而且可视角度大，一般可达到130度左右，主要运用在高端产品。从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息。TFT属于有源矩阵液晶显示器，在技术上采用了“主动式矩阵”的方式来驱动，方法是利用薄膜技术所作成的电晶体电极，利用扫描的方法“主动拉”控制任意一个显示点的开与关，光源照射时先通过下偏光板向上透出，借助液晶分子传导光线，通过遮光和透光来达到显示的目的。
TFT技术是二十世纪九十年代发展起来的，采用新材料和新工艺的大规模半导体全集成电路制造技术，是液晶（LC）、无机和有机薄膜电致发光（EL和OEL）平板显示器的基础。TFT是在玻璃或塑料基板等非单晶片上（当然也可以在晶片上）通过溅射、化学沉积工艺形成制造电路必需的各种膜，通过对膜的加工制作大规模半导体集成电路（LSIC）。采用非单晶基板可以大幅度地降低成本，是传统大规模集成电路向大面积、多功能、低成本方向的延伸。在大面积玻璃或塑料基板上制造控制像元（LC或OLED）开关性能的TFT比在硅片上制造大规模IC的技术难度更大。
