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电子元器件的检测二
单向晶闸管检测： 可用万用表的R×1k或R×100挡测量任意两极之问的正、反向电阻，如果找到一对极的电阻为低阻值(100Ω～lkΩ)，则此时黑表笔所接的为控制极，红表笔所接为阴极，另一个极为阳极。晶闸管共有3个PN结，我们可以通过测量PN结正、反向电阻的大小来判别它的好坏。测量控制极(G)与阴极[C)之间的电阻时，如果正、反向电阻均为零或无穷大，表明控制极短路或断路；测量控制极(G)与阳极(A)之间的电阻时，正、反向电阻读数均应很大； 测量阳极(A)与阴极(C)之间的电阻时，正、反向电阻都应很大。
微波暗室一般技术指标
1.暗室参数
微波暗室的电性能指标主要由静区的特征来表征。静区的特性又以静区的大小、静区内的最.大反射电平、交叉极化度、场均匀性、路径损耗、固有雷达截面、工作频率范围等指标来描述。
影响微波暗室性能指标的因素是多元化的，也是很复杂的。在利用光线发射法和能量物理法对暗室性能进行仿真计算时，需要考虑电波的传输去耦，极化去耦，标准天线的方向图因素，吸波材料本身的垂直入射性能和斜入射性能，多次反射等影响。但在实际的工程设计过程中，往往以吸波材料的性能作为暗室性能的关键决定因素。
1)交叉极化度：由于暗室结构的不严格对称、吸波材料对各种极化波吸收的不一致性以及暗室测试系统等因素使电波在暗室传播过程中产生极化不纯的现象。如果待测试天线与发射天线的极化面正交和平行时，所测试场强之比小于-25dB，就认为交叉极化度满足要求。
2)多路径损耗：路径损耗不均匀会使电磁波的极化面旋转，如果以来波方向旋转待测试天线，接收信号的起伏不超过±0.25 dB，就可忽略多路径损耗。
3)场均匀性：在暗室静区，沿轴移动待测试天线，要求起伏不超±2dB；在静区的截面上，横向和上下移动待测天线，要求接收信号起伏不超过±0.25 dB。
电子元器件的检测四
判断晶振的好坏;先用万用表(R×10k挡)测晶振两端的电阻值，若为无穷大，说明晶振无短路或漏电；再将试电笔插入市电插孔内，用手指捏住晶振的任一引脚，将另一引脚碰触试电笔顶端的金属部分，若试电笔氖泡发红，说明晶振是好的；若氖泡不亮，则说明晶振损坏。检查发光数码管的好坏:先将万用表置R×10k或R×l00k挡，然后将红表笔与数码管(以共阴数码管为例)的“地”引出端相连，黑表笔依次接数码管其他引出端，七段均应分别发光，否则说明数码管损坏。
