702高纯多弧锆靶磁控溅射镀膜锆靶锆坩埚HZr-1

锆靶:形态及规格；
圆靶；100mm（直径）X40mm（厚度）
100mm(直径) X 45mm(厚度)
60mm(直径) X 40mm(厚度)
60mm(直径) X 42mm(厚度)及其它特定尺寸。
板靶：525mm（长）X 80mm（宽)X 8mm（厚）
519mm（长）X 80 mm（宽）X12mm （厚）
620mm（长）X 120mm（宽）X 8mm（厚）及其它特定尺寸。
管靶：89.4mm(外直径)X7.62mm(壁厚)X1728mm(长) 
89.4mm(外直径)X15mm(壁厚)X1728mm(长)
80mm(外直径)X10mm(壁厚)X1728mm(长)
70mm(外直径)X7mm(壁厚)X730mm(长)及其它特定尺寸。
纯度:锆>99.60%以上。
应用领域：作为装饰镀；能提供雍容华贵兼具古典风韵的青黄色氮化锆膜ZrN,并可增强耐磨及耐腐蚀*能。作为工具镀；能延长*具、钻头等工具5-8倍的使用寿命。

纯度是靶材的主要*能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的*能影响很大。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。例如，随着微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。

杂质含量

靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射*元素含量都有特殊要求。

密度

为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的*能，通常要求靶材具有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射速率，还影响着薄膜的电学和光学*能。靶材密度越高，薄膜的*能越好。此外，提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键*能指标之一。

晶粒尺寸及晶粒尺寸分布

通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快；而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。